第1169章 我看这局面他卿云又能怎么破！（4 / 5）
他停顿了一下，继续说道，“再说了，一旦我们投入技术，那么要不了两年，华国便可以学会。
技术这东西，一旦流传出去，就如泼出去的水，难以收回。
何况还有设备，这更是严格管控的物资。
无论是光刻设备还是蚀刻设备，或者是化学气相沉积相关的配套设备，这都是瓦森纳协议严格禁止的东西。
一旦流入到华国，不仅我们的技术优势将荡然无存，夷积电也很可能会陷入被动，甚至面临国际舆论和政策的双重压力，得不偿失。”
章忠谋微微摇头，嘴角勾起一抹意味深长的笑容，
“尚义，这里面有个信息差，你或许还不清楚。
阿美莉卡实际上已经放宽了对华国的限制。
我有确切的消息，因特尔已经将一批技术转让给了炎黄集团。
而这批技术的最新时间点是1994年的。
按照这个时间线以及瓦森纳协定的精神，1993年问世的0.35微米工艺，我们是完全可以在华国生产，而不用担心阿美莉卡的长臂管辖。”
他顿了顿，眼中闪过一丝精光，“而半年前，华国的技术水平还停留在1984年的1.25微米水平。
我们就算他们能采取跳跃式发展，也不可能在短短一年内完成1微米、0.8微米、0.6微米、0.35微米四代工艺的跨越。
说到这里，他哈哈大笑了起来，“更何况他们还在使用436nm g线光源，而且还是接触式路径。”
江尚义听后也露出了笑容。
这是他们曾经走过的老路，是再熟悉不过的。
接触式路径，掩模直接贴在硅片上进行光刻，不仅容易造成污染，而且掩模的使用寿命也相对较短。
后来的接近式光刻技术对此进行了改进，通过在掩模和硅片之间形成一层薄薄的气垫，使两者不再直接接触，提高了良率也提升了掩膜的寿命，这大大的降低了成本。
但气垫的存在，又会影响成像的精度，所以g线光源的最高制程也只能达到0.35微米工艺。
而g线光源的下一代是波长365nm的i线光源，其最高制程工艺可以达到0.25微米。
再往下发展，就必须采用第三代光源，即波长248nm的krf（氟化氪）准分子激光，它能够实现130nm的制程。
至于第四代光源，则是目前最先进的193nm arf（氟化氩）准分子激光。
按照林本坚的理论，这种光源通过浸入式技术，理论上可以将制程推进到22nm，甚至在孙元成根据david mann公司的重复曝光理论推测，还能更低。
章忠谋耸了耸肩，语气中带着浓浓的不屑，“从g线到i线，我们用了整整16年的时间。
即便华国存在所谓的后发优势，他们也不可能在短短半年内就达到那样的技术水平。
况且，半导体产业是一个高度复杂的综合性产业，制造一颗芯片需要经过1000多个不同的流程，整个生产系统由上千个不同的部件组成，仅一个光刻机就包含了8万多个精密零件。
而这些零部件，他们大半都没法自产，到时候随便哪个环节卡他们一下，他们的光刻设备就出不来的。
所以，尚义，你说，在如此短的时间内，他们真的有可能达到0.35微米的工艺水平吗？
只要他们没法在我投产之前，也就是一年后达到0.35微米的水平，且成本和我一致，那他们就没有机会了。
因为这是一个生意！ ↑返回顶部↑
技术这东西，一旦流传出去，就如泼出去的水，难以收回。
何况还有设备，这更是严格管控的物资。
无论是光刻设备还是蚀刻设备，或者是化学气相沉积相关的配套设备，这都是瓦森纳协议严格禁止的东西。
一旦流入到华国，不仅我们的技术优势将荡然无存，夷积电也很可能会陷入被动，甚至面临国际舆论和政策的双重压力，得不偿失。”
章忠谋微微摇头，嘴角勾起一抹意味深长的笑容，
“尚义，这里面有个信息差，你或许还不清楚。
阿美莉卡实际上已经放宽了对华国的限制。
我有确切的消息，因特尔已经将一批技术转让给了炎黄集团。
而这批技术的最新时间点是1994年的。
按照这个时间线以及瓦森纳协定的精神，1993年问世的0.35微米工艺，我们是完全可以在华国生产，而不用担心阿美莉卡的长臂管辖。”
他顿了顿，眼中闪过一丝精光，“而半年前，华国的技术水平还停留在1984年的1.25微米水平。
我们就算他们能采取跳跃式发展，也不可能在短短一年内完成1微米、0.8微米、0.6微米、0.35微米四代工艺的跨越。
说到这里，他哈哈大笑了起来，“更何况他们还在使用436nm g线光源，而且还是接触式路径。”
江尚义听后也露出了笑容。
这是他们曾经走过的老路，是再熟悉不过的。
接触式路径，掩模直接贴在硅片上进行光刻，不仅容易造成污染，而且掩模的使用寿命也相对较短。
后来的接近式光刻技术对此进行了改进，通过在掩模和硅片之间形成一层薄薄的气垫，使两者不再直接接触，提高了良率也提升了掩膜的寿命，这大大的降低了成本。
但气垫的存在，又会影响成像的精度，所以g线光源的最高制程也只能达到0.35微米工艺。
而g线光源的下一代是波长365nm的i线光源，其最高制程工艺可以达到0.25微米。
再往下发展，就必须采用第三代光源，即波长248nm的krf（氟化氪）准分子激光，它能够实现130nm的制程。
至于第四代光源，则是目前最先进的193nm arf（氟化氩）准分子激光。
按照林本坚的理论，这种光源通过浸入式技术，理论上可以将制程推进到22nm，甚至在孙元成根据david mann公司的重复曝光理论推测，还能更低。
章忠谋耸了耸肩，语气中带着浓浓的不屑，“从g线到i线，我们用了整整16年的时间。
即便华国存在所谓的后发优势，他们也不可能在短短半年内就达到那样的技术水平。
况且，半导体产业是一个高度复杂的综合性产业，制造一颗芯片需要经过1000多个不同的流程，整个生产系统由上千个不同的部件组成，仅一个光刻机就包含了8万多个精密零件。
而这些零部件，他们大半都没法自产，到时候随便哪个环节卡他们一下，他们的光刻设备就出不来的。
所以，尚义，你说，在如此短的时间内，他们真的有可能达到0.35微米的工艺水平吗？
只要他们没法在我投产之前，也就是一年后达到0.35微米的水平，且成本和我一致，那他们就没有机会了。
因为这是一个生意！ ↑返回顶部↑