163.第162章 碳基芯片制作工艺(1 / 3)

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  第162章 碳基芯片制作工艺
  “这一觉睡得真舒服!”
  苏其伸了一个懒腰,这次醉酒没有人打扰,他一觉直接睡到了下午两点。
  拿出手机点了一个外卖,随后打开app,看看最新的新闻。
  “中为要出全华国产自研芯片……xx公司说龙魂eda涉嫌抄袭?……真是脸都不要了!!”
  “造谣中为要用自研的芯片是吧……”
  苏其笑了起来,“到时候拿出真货,不知道这群人会是个什么反应?”
  他想想就有些期待。
  如果是之前,那确实只能憋屈的出声明,没有这回事。但现在,有3d堆叠晶体技术,外加存内计算。
  两个叠加上去完全可以抹平制程的差距。按照估算40nm的芯片就可以对比7nm。
  完全足够现在芯片使用!
  不仅中低端,高端也能满足!
  就在他看一群跳的欢快水友笑话时。
  忽然,一行字从系统面板上闪现。
  新任务来了?
  看到提示,苏其眼神一亮,随后急忙打开面板。
  【系列任务:星辰永在,华夏永昌——芯片之魂(4/5)】
  【任务内容:改装微型设备的芯片,并获得50000的震惊值】
  【任务奖励:碳基芯片制作工艺】
  ……
  “碳基芯片制作工艺,还以为会是光刻机呢!不过这个东西,也是一个好东西!”
  看到任务奖励,苏其眼神有些发亮。
  目前的芯片都是硅基芯片,而硅基芯片是有限制的。
  在保证晶体硅的性质不变的情况下,最小的硅基芯片尺寸极限大约是1nm。在这个尺寸之下,硅基芯片的物理性质会发生显著的变化。
  也就说硅基芯片的极限就是1nm。
  而且在制造工艺方面,小于2nm的硅基芯片需要采用极端的制造方法,如高能电子束和离子束刻蚀等,这是一个十分复杂,而且难以量产的技术。
  但是碳基芯片则不一样,首先它的最低极限就比硅基芯片要高,能达到nm级以下。
  而最关键的是,碳基芯片的性能是远远好于硅基芯片的,如果用数据类比的话,就是7nm的碳基芯片运行速度就可以比拟0.5nm的硅基芯片的运行速度。
  两个东西完全不在一个赛道上。
  “就是不早知道任务最后的奖励能给到多少制程的工艺……” ↑返回顶部↑

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