第110章 布局功率半导体,数值与机制并存的(7 / 8)

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  “有了这笔资金支持,我们也可以着手扩充sic mosfet的研发设计,预计在20个月内可以完成sic mosfet的流片。
  不过。
  目前就算仅仅采用我们自研的sic schottky,预计快充模块的成本,也可以降低10%。
  也就是单台快充模块总成本一万三,能达到1300元的成本降幅。
  如果等sic mosfet的研发流片完成,总成本降幅预计可达到25%。”
  …
  讲完主要技术参数。
  陈默连忙又补充起了他们的“核心价值”。
  高压快充模块有接近40%的成本,都来源于功率半导体。
  而进口的sic价格又十分昂贵。
  一旦实现自研替代进口,这部分的成本降低40%都不是问题。
  许易听完,不禁露出满意的表情。
  新能源车要走量,以及全国超充桩要铺开,这部分的成本是必须要打下来的。
  按照现在的发展来看,基本符合前世的sic自研降本技术路线。
  如果再将sic晶圆替换为国产,那么等到一年半载后,产线彻底形成规模,总计达到35%的成本降幅也不是不可能。
  届时一台高压快充模块的成本,就能从一万多降低至八千元。
  稳辣!!
  …
  “晶圆供货的情况怎么样?”
  许易问。
  这话一出,王垒和其他几人的神色难免有些不正常,叹了口气道:“cree最近产能紧张,成本偏高,而且偶尔有延期。
  如果有大批量需求,经常需要提前下单,上次由于晶圆交付周期从8周延长到12周,我们就损失了一笔订单。”
  很难绷。
  但没办法。
  这个阶段cree在碳化硅衬底领域,几乎是垄断地位,就算是延期,也不会有任何补偿。
  “那你们就没想过,采用国产晶圆?”
  “这个……国产晶圆虽然便宜,但良率太低,只有40%,晶体生长工艺不是很稳定,缺陷密度也高,不是我们不想,实在是做不到。”
  听到这话。
  王垒几乎只能苦笑了。
  他们公司对接的快充模组采购厂商,对供货周期、质量稳定性要求是相当高的。 ↑返回顶部↑

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